TSMC·삼성전자 파운드리 경쟁 | HBM 베이스 다이가 핵심인 이유

“HBM의 진짜 두뇌는 가장 아래에 있다.”
HBM 칩을 잘라 단면을 보면, 메모리 층은 똑같은 모양이 위로 쌓여있고 가장 아래에 다른 종류의 칩 한 장이 깔려 있어요. 이게 바로 베이스 다이(Base Die)입니다. HBM4 시대부터 이 베이스 다이가 승부의 핵심으로 떠올랐어요.

이 글에서는 베이스 다이가 무엇인지, 왜 TSMC와 삼성 파운드리가 여기서 격돌하는지를 정리합니다.

📋 이 글에서 다루는 내용

  • 베이스 다이란 무엇인가
  • HBM4부터 ‘커스텀’이 되는 이유
  • TSMC vs 삼성 파운드리 — 강약점 비교
  • SK하이닉스·삼성전자가 들고 있는 카드
  • FAQ

1. 베이스 다이란 무엇인가

HBM은 메모리 칩(D램)을 위로 12~16층까지 쌓아 올린 구조입니다. 그런데 메모리 칩끼리만 쌓아둔다고 GPU와 통신할 수 있는 게 아니에요. 가장 아래에 ‘교통 정리 칩’이 한 장 깔려 있어야 합니다.

이 교통 정리 칩이 베이스 다이예요. TSV(Through-Silicon Via)라는 미세한 구멍 수천 개를 통해 위층 메모리와 GPU 사이를 연결하고, 데이터 전송 타이밍을 맞추고, 전력을 분배합니다.


2. HBM4부터 ‘커스텀’이 되는 이유

HBM3까지는 표준 베이스 다이를 메모리 회사가 자체적으로 만들었어요. 하지만 HBM4 세대부터는 흐름이 바뀝니다.

💡 커스텀 베이스 다이 시대: 엔비디아·구글·AMD 같은 고객사가 “우리 칩 옆에 붙일 거니까, 베이스 다이에 우리가 원하는 기능 좀 박아줘”라고 요구합니다. 메모리 회사 단독으로는 만들기 어렵고, 파운드리의 미세공정 능력이 필수가 된 거예요.

그래서 SK하이닉스는 TSMC와 손잡고, 삼성전자는 자체 파운드리로 베이스 다이를 만드는 그림이 펼쳐지고 있습니다.


3. TSMC vs 삼성 파운드리 — 강약점 비교

항목TSMC삼성 파운드리
점유율60% 이상 (글로벌 1위)10% 내외 (2위권)
최첨단 공정3nm 양산 안정화, 2nm 진입3nm GAA, 2nm 추격
메모리 연계자체 메모리 없음, SK하이닉스와 협업자체 메모리+파운드리 통합 가능
대표 고객엔비디아, 애플, AMD엔비디아 Groq, 테슬라 등

TSMC는 미세공정·생태계의 절대 강자, 삼성 파운드리는 ‘메모리와 통합 가능’이라는 유일한 무기를 갖고 있어요.


4. SK하이닉스·삼성전자가 들고 있는 카드

두 회사의 베이스 다이 전략은 색깔이 다릅니다.

  • SK하이닉스 + TSMC: 세계 최고 파운드리와 손잡고 안정성·고객 만족 극대화
  • 삼성전자: 메모리+파운드리를 한 지붕 아래에서 통합 설계 → 원가·납기 강점

특히 엔비디아가 Groq 파운드리를 삼성에 맡긴 사례는 의미심장합니다. 즉 엔비디아는 메모리는 SK하이닉스를, 비메모리는 일부 삼성을 쓰는 멀티벤더 전략이고, 그 결과 두 한국 회사 모두 매출 기회를 갖는 구조가 형성됐어요.

이 큰 흐름은 HBF 가두리 전략 글에 정리해뒀고, 양사의 강약점 비교도 함께 보시면 그림이 확실해집니다.


자주 묻는 질문 (FAQ)

Q. 베이스 다이가 메모리 가격에 얼마나 영향을 주나요?

HBM4부터 베이스 다이가 미세공정으로 만들어지면서 원가 비중이 의미 있게 커집니다. 일부 분석은 베이스 다이가 전체 HBM 원가의 20~30%까지 차지할 수 있다고 봐요.

Q. 인텔 파운드리는 경쟁자가 될 수 있나요?

인텔 18A 공정이 양산에 들어가면 후보가 됩니다. 다만 HBM 베이스 다이 영역에서 의미 있는 점유를 가져가려면 시간이 더 필요할 것으로 보입니다.


※ 본 글의 점유율·공정 수치는 공시 자료와 시장조사 기관 발표를 종합한 것으로, 시점에 따라 변동될 수 있습니다.

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